Le module IGBT BSM50GX120DN2 s'impose comme un choix incontournable pour la gestion et la commutation de l'énergie électrique au sein des installations industrielles. Ce thyristor en silicium à commande de puissance, également compatible avec la référence SM2G50SH120H3, est conçu pour répondre aux exigences de conductivité technique rigoureuse.
Grâce à sa structure optimisée en silicium, ce module limite activement les pertes d'énergie lors des commutations à haute fréquence. L'intégration des puces semi-conductrices avancées permet une dissipation thermique homogène, réduisant le risque de surchauffe et prolongeant la durée de vie de vos machines de production automatisées.
| Caractéristique | Valeur nominale |
|---|---|
| Référence principale | BSM50GX120DN2 / SM2G50SH120H3 |
| Technologie | Thyristor en silicium à commande IGBT |
| Tension maximale | 1200 V |
| Courant nominal | 50 A |
| Configuration | Module de puissance triphasé avec pont |
Ce redresseur de puissance trouve naturellement sa place dans la maintenance et la configuration de systèmes électriques complexes. Ses scénarios d'usage incluent notamment :
Un composant robuste garantissant la continuité opérationnelle de vos armoires électriques et de vos lignes de production automatisées.
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