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Module diode IXFN36N60 haute performance IXFN34N80 haute tension

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Composant Semi-conducteur de Haute Précision pour l'Industrie

L'excellence technologique se traduit par des pertes d'énergie minimales au sein des convertisseurs statiques. Ce module encapsulé bénéficie d'une structure interne optimisée pour réduire les inductances parasites. Chaque unité subit des contrôles stricts pour valider sa tenue en tension isolée.

Propriétés et Architecture Interne

Le substrat en céramique assure une excellente isolation électrique tout en favorisant le transfert thermique vers la base en cuivre. Cette configuration technique prolonge la durée de vie du composant sous charge maximale. Le comportement en commutation reste stable même à des fréquences élevées.

Paramètres de Fonctionnement

  • Courant Direct Moyen : 34 Ampères pour une continuité de service
  • Tension Maximale Transitoire : Conforme aux exigences des réseaux 800V
  • Indice d'Isolation du Boîtier : Conçu pour supporter les arcs électriques internes

Idéal pour les ingénieurs qui conçoivent des équipements de laboratoire ou des systèmes de distribution d'énergie exigeant une grande pureté de signal.

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